图1 四态In2Se3/双层CrI3/In2Se3异质结的能带结构（左）和电场可控且非易失的自旋场效应晶体管（右）。

近日，我院青年教师田浩博士在二维铁磁铁电异质结研究中取得重要进展，相关研究成果发表在物理领域顶级期刊《Physical Review B》上，标题为“Band structure engineering of van der Waals heterostructures using ferroelectric clamped sandwich structures”。该研究成果是以我院教师为第一作者，与南京大学、美国阿肯色大学等单位合作研究的重要进展。文章中，作者提出了一种运用铁电“三明治”夹层实现能带结构工程的新策略。该策略的有效性通过In2Se3/双层CrI3/In2Se3异质结得到验证。作者还揭示该异质结具有四种不同的电子态，其中两态由于内建电场的作用产生自旋劈裂，并据此设计了电场可控且非易失的自旋场效应晶体管。相关研究结果将通过铁电夹层的半导体能带工程在二维电子学、自旋电子学领域开辟新的途径。

近年来，物理与电子工程学院积极推动青年教师与国内外著名科研院所的科研合作与交流。依托郑州市低维微纳米材料重点实验室逐步开展了与南京大学、四川大学、美国阿肯色大学等国内外高校的科研合作。田浩博士自2020年6月入职我院以来，主要从事钙钛矿及二维材料方面的课题研究，还与四川大学原子与分子物理研究所展开合作，以通讯作者在国际TOP期刊《Journal of Materials Chemistry C》,《The Journal of Physical Chemistry C》等发表多篇高水平研究成果。

https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.103.125426